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チタン酸ジルコン酸鉛(PZT、チタン酸ジルコン酸鉛)は、チタン酸鉛(PbTiO3)とジルコン酸鉛(PbZrO3)を組み合わせたセラミック材料です。この材料は強誘電性を持ち、圧電効果(力を加えると)電圧が発生する現象)を示します。
DRAM
動作原理
DRAMは、各メモリセルに1つのトランジスタと1つのキャパシタを持つことで構成されています。キャパシタに電荷を蓄えることでデータのビットを表現し、トランジスタはそのキャパシタへのアクセスを制御します。
- 書き込み: トランジスタをオンにしてキャパシタに電荷を供給することで、データを1ビットの形で保存します。
- 読み出し: トランジスタをオンにしてキャパシタの電荷を読み取り、その値に基づいてデータを取得します。読み出し後はキャパシタの電荷が失われるため、読み出し操作後にリフレッシュが必要です。
種類
- SDRAM (Synchronous DRAM): クロック信号と同期して動作するDRAM。データ転送速度が向上し、主にシステムメモリとして使用されます。
- DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM): クロック信号の両エッジ(立ち上がりと立ち下がり)でデータを転送するため、SDRAMの2倍のデータ転送速度を実現します。DDR2、DDR3、DDR4、DDR5など、世代ごとに性能が向上しています。
利用例
- コンピュータのメインメモリ: データやプログラムの一時的な保存とアクセスに使用されます。
- グラフィックスカード: 高速なデータ転送が求められるため、ビデオメモリとして使用されます。
- モバイルデバイス: スマートフォンやタブレットのメモリとして使用され、低消費電力で高速なデータアクセスを提供します。
DRAMはその高速なデータアクセスと容量の大きさから、現代のコンピュータシステムにおいて不可欠なコンポーネントとなっています。
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